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CPH3459-TL-W

功能描述：MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 欧姆 @ 250mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：90pF @ 20V

功率 - 最大值：1W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-CPH

标准包装：3,000

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